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此外，监管局推结算解决通过开发新的碳样品制备方法提高样品产量和质量，开发石墨烯、超窄石墨烯纳米带在大规模集成高频电子器件及超导电学器件方面的应用。量配该成果以题为Vapor–liquid–solidgrowthoflarge-areamultilayerhexagonalboronnitrideondielectricsubstrates于2月12日在线刊发于NatureCommunications上。
王浩敏，革试博士，中科院上海微系统所研究员。【成果简介】中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称中科院上海微系统所）信息功能材料国家重点实验室吴天如研究团队与王浩敏研究团队以及上海科技大学物质学院刘志研究团队采用气-液-固（VLS）合成策略，目市利用熔融Fe82B18合金和N2作为反应物，目市基于液态合金中存在的大量空位而构成的迁移通道及蓝宝石（sapphire）衬底与六方氮化硼（h-BN）的取向关系，在液固界面获得5-50nm厚大面积高质量多层h-BN。【引言】面向二维晶体理论研究与器件应用，场化h-BN以原子级平整表面、场化无悬挂键及良好的理化稳定性等优势，成为目前最具潜力的二维晶体器件的介质衬底和封装材料。
通过原位近常压光电子能谱等手段系统研究多层h-BN形核生长过程，问题进一步提出多层h-BN生长的溶解－扩散－外延新机制，问题该方法对于可控制备二元体系二维晶体薄膜具有一定的开拓意义。该工作为制备高质量大面积多层h-BN薄膜并进一步替代传统机械剥离片层提供新思路，东北动增电改点项以期在未来二维晶体理论研究及器件规模化构筑中发挥巨大作用。
【总结展望】在这项工作中，监管局推结算解决通过气-液-固法，在sapphire衬底表面实现了具有可控厚度的高质量多层h-BN。
熔融Fe82B18的使用促进了h-BN均匀多层的等温生长，量配熔融Fe82B18合金和sapphire衬底的界面限制作用以及sapphire与h-BN的取向关系使得h-BN严格按照二维生长。但对于那些想要提交视频的人来说，革试需要注意的是苹果公司限定只有那些已经拥有一个iOS、革试macOS、tvOS或watchOS应用正在进行测试、或是在10月21日以前能进行测试的应用的开发者才能参与其中。
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